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智能充电芯片

智能充电芯片

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低压差型线性智能充电稳压器芯片

对于智能充电线性稳压器,一种重要的类型是低压差(LDO)线性稳压器。在 输入电压(VIN)和 输出电压(VOUT) 相差很小时,能持续输出稳定电压。

智能充电低压差(LDO)的四大关键要素:

— 压差Dropout

— 噪音Noise

— 电源抑制比(PSRR)

— 静态电流Iq

智能充电芯片

智能充电半导体从所包含的器件来说,明确强调智能充电集成电路(智能充电IC,简称智能充电芯片)的位置和作用。智能充电半导体包括两部分,即智能充电集成电路和智能充电分立式半导体器件。

主要智能充电芯片有的是双列直插芯片,而有的是表面贴装式封装,其中HIP630x系列芯片是比较经典的智能充电芯片,由著名芯片设计公司Intersil设计。

它支持两/三/四相供电,支持VRM9.0规范,电压输出范围是1.1V-1.85V,能为0.025V的间隔调整输出,开关频率高达80KHz,具有电源大、纹波小、内阻小等特点,能精密调整CPU供电电压。

未来趋势

智能充电芯片前景广阔。通过开发新的工艺、封装和电路设计技术,还会有性能更加出色的器件诞生,它们能提高电源功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、增强电源和信号完整性以及提高系统的安全性,助力世界各地的工程师实现创新。

智能充电芯片工作时功耗较大,发热且温度升高可能会引起芯片内部材料、器件乃至电路模块的功能异常,影响芯片的可靠性。芯片工作时的环境因素,例如温度、湿度、震动、电磁干扰等也会影响芯片的可靠性。因此智能充电电源芯片作为电子产品的“心脏”,其可靠性直接关系到电子产品的使用寿命。随着电子产品功能多样化和应用复杂化,电源芯片正不断向高可靠性方向发展。

产品标签:智能充电芯片

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